在高功率集成領(lǐng)域，以真空吸盤(pán)為代表的混合集成技術(shù)得到了迅速發(fā)展。真空吸盤(pán)在變頻調(diào)速、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)合已得到廣泛應(yīng)用，但由于外部接線(xiàn)和焊點(diǎn)的減少，真空吸盤(pán)的可靠性明顯提高，但由于各種功率元件和控制回路的限制，真空吸盤(pán)的可靠性大大提高。UITS在真空吸盤(pán)中，焊絲連接到不同的芯片上。焊絲的電感和焊料和焊點(diǎn)的可靠性限制了真空吸盤(pán)的發(fā)展，為此，美國(guó)電力電子系統(tǒng)中心（CPES）提出了IPEM系統(tǒng)集成的概念，真空吸盤(pán)將信息傳輸和控制智能連接起來(lái)。H電源芯片的多芯片模塊MCM-C技術(shù)通過(guò)陶瓷芯片的共燒。所有的無(wú)源元件都埋在埋入層中的襯底中。傳統(tǒng)模塊封裝中的焊絲鍵合工藝被完全取消，三維組件被更換，三采用熱處理來(lái)增加散熱。由于IPEM組件與導(dǎo)線(xiàn)沒(méi)有連接，因此系統(tǒng)的可靠性是很小的。因此，大大降低了電路的電感，提高了真空吸盤(pán)系統(tǒng)的效率。

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